BIAMS 2006

The 8^th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors

«Зондовые методы исследования микроструктур на основе полупроводников»

Дата проведения:

11-14 июня 2006

Место проведения

Россия, Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, РАН

Краткое описание конференции

Современное состояние исследований по тематике конференции:

Первые две конференции были проведены в Париже (1988 и 1991), далее в Болонии (1993), Эль Эскориале (Испания) 1996, Вулкове (Германия) 1998, Фукуоке (Япония) 2000, Лиле (Франция) 2003. О рейтинге конференции свидетельствует следующее: как правило число участников конференции около 120-150 человек из 12-15 стран мира.
Рождение этих конференций было вызвано бурным развитием высоких технологий для микро- нано и оптоэлектроники, требующих нового, адекватного этому современному направлению электроники, комплекса неразрушающих локальных методов диагностики. В это же время, в мире идет активная разработка методов, основанных на использовании тонких электронных, фотонных, рентгеновских, ионных, атомных, молекулярных пучков и металлических нанозондов. Это и растровая электронная, просвечивающая, туннельная, атомно-силовая, конфокальная микроскопия, рентгеновский ионный микроанализ, оже-, фотоэлектронная спектроскопия и др. Именно эти методы сегодня широко используются, развиваются и адаптируются к исследованию наноматериалов, структур и приборов современной электроники на любой стадии технологического процесса их получения.
Основной задачей планируемой конференции является обсуждение методических и методологических проблем, связанных с решением диагностических задач в объеме современного материаловедения микро, нано и оптоэлектроники с использованием вышеназванных методов.

Техническая программа Рабочего семинара

Методы характеризации


• Растровая электронная микроскопия (локальная катодолюминесценция, сигналы тока и напряжения индуцированные электронным пучком, вторичная электронная эмиссия)
• Поверхностно-чувствительные методы (Оже электронная спектроскопия, вторичная ионная масс-спектроскопия, фотоэлектронная, рентгеновская спектроскопия)
• Оптические методы (высокоразрешающая фотолюминесценция, Рамановская спектроскопия)
• Зондовые методы (атомно-силовая и туннельная микроскопия)
• Просвечивающая электронная микроскопия, микроскопия прямого разрешения.
• Исследуемые материалы – полупроводники, многослойные гетероструктуры, наноструктуры и наноструктурированные материалы.

Рабочий язык конференции – английский

Расположение

Конференция будет проходить в г. Санкт Петербурге. Местом проведения будет научно образовательный центр при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Для участников конференции будет организована экскурсия по городу, по историческим местам Санкт Петербурга и его пригородам.
Учитывая, что летний период «белых ночей» связан с большим количеством гостей в Санкт-Петербурге, бронирование гостиницы необходимо осуществлять задолго до начала конференции. В связи с этим Оргкомитет проводит предварительную регистрацию участников, что является основой для бронирования мест в гостинице.

Гостиницы

Список гостиниц:

1. Гостиница «Спутник». Расположена в 15-20 минутах от места проведения конференции (пр. Тореза, д. 36)
2. Гостиница «Москва» находится в историческом центре города на берегу Невы, напротив Александро-Невской Лавры. (пл. Александра Невского, д. 2)
3. Гостиница «Орбита». Расположена в 20 минутах от места проведения конференции (пр. Непокорённых д. 4)
   Резервирование гостиницы производится до 1-го мая по электронной почте biams06@gmail.com

Проживание (руб.), включая завтрак.

* четырёх местный номер - это две двухместные спальни, соединённые гостиной.
** за дополнительную оплату (380 руб), в одноместный номер можно поставить второй диван.

Транспорт

Проезд из аэропорта до гостиницы (бронирование заранее по biams06@gmail.com, оплата по водителю по прибытию) в размере 50 евро за машину.

1. Гостиница «Спутник»
   Из аэропорта до станции метро «Московская» (линия №2) (12 руб) автобусом №39 (30 руб), от станции «Московская» до станции «Технологический институт2», пересадка на линию №1, на станцию «Технологический институт1». до «Площадь мужества». От станции метро до гостиницы 2 остановки на троллейбусе №13, или автобусах №9, №123 (12 руб)
2. Гостиница «Москва»
   Из аэропорта до станции метро «Московская» (линия №2) (12 руб) автобусом №39 (30 руб), от станции «Московская» до станции «Сенная площадь», - пересадка на линию №4, на станцию «Садовая», до станции «Площадь Александра Невского»
3. Гостиница «Орбита»
   Из аэропорта до станции метро «Московская» (линия №2) (12 руб) автобусом №39 (30 руб), от станции «Московская» до станции «Технологический институт2», пересадка на линию №1, на станцию «Технологический институт1». до «Площадь мужества». От станции метро до гостиницы 5 минут пешком.

Оргвзнос

Участие в конференции для граждан СНГ частично оплачивается Министерством Науки и Образования РФ
(В рублях)

В организационный взнос участника конференции входит

1. Труды
2. Фуршет
3. Экскурсионная программа
   - Вечерняя автобусная обзорная экскурсия по городу

Дополнительно можно оплатить

• Обеды (необходимо оговорить заранее)
• Экскурсию в музей-заповедник «Петергоф» с посещением одного из малых дворцов в размере 600 руб. (включает в себя входные билеты и обед).
• Банкет в размере 2000 руб.

Оплата дополнительных услуг возможна по прибытию или по безналичному расчету:

Оплата

Орг.взнос может быть оплачен по безналичному расчету заранее или наличными по прибытию
Оргвзносы российских граждан зачисляются на счет
ООО «Деловой визит».

Заявку на выставление счета выслать
по e-mail: mikhailova@wplus.mail.net
или по факсу (812) 740-71-43.

В заявке обязательно указать ф.и.о., реквизиты плательщика и номера факса, по которому выслать счет.

Реквизиты (РУБ)
ООО «Деловой визит»
Юридический адрес 197227, Санкт-Петербург, бульвар Серебристый, д.26
Фактический адрес:193015, Санкт-Петербург, Кирочная ул. д.8 офис 47
тел (812) 275 18 36 факс (812) 7407143

ИНН 7814106954 КПП 781401001
Р/с 40702810100060000590 в ОАО «ИНКАСБАНК»
Корр. Счет 30101810800000000829 в ГРКЦ ЦБ по Санкт-Петербургу
БИК 044030829
ОКОНХ 91620, 71300, 71100, 71200, 72200, 71500, 84100, 84500, 90310
ОКПО 53227117 ОКАТО 40270564000
ОКОГУ 49013 ОКОПФ 65 ОКФС 16

Генеральный директор Кучеренко Надежда Ивановна

Главный бухгалтер Новочихина Алевтина Федоровна

Члены организационного и программного комитета:

M. Breese, Natl. Univ. Singapore, Singapore

O. Breitenstein,MPI of Microstructure Physics, Halle, Germany

A. Cavallini, Univ.Bologna, Italy

M. Kittler, IHP GmbH, Germany

S.G. Konnikov, PTI RAS, Russia

J. Piqueras, Univ. Compludense, Madrid, Spain

Z.J. Radzimski, SEH America, Vancouver, WA, USA

T. Sekiguchi, National Res. Inst. Metals, Japan

B. Sieber, Univ. Lille, France

J.W. Steeds, Univ. of Bristol, UK

N. Tabet, Univ. King Fahd, Saudi Arabia

H. Tomokage, Fukuoka Univ.Japan

M. Troyon, Universite de Reims-Champagne-Ardenne, France

E. Yakimov, Inst. Microelec., Chernogolovka, Russia

Локальный организационный комитет:

Заморянская М.В. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН)

Толмачев А.В. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН)

Соколов Р.В. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН)

Аверченко М.В. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН)

Заморянская И.А. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН) – секретарь

Предварительный список приглашённых докладов

Daniel Araujo, France “Excitons and defects in homoepitaxial diamand films from cathodoluminescence of p-/p+ samples”

Daniela Cavalcoli, University of Bologna, Italy “Micro- and nano- structures in silicon investigated by DLTS and beam injection methods“

Hans-Joachim Fitting, Rostock University, Germany "Multimodal Luminescence Spectra of Ion Beam-implanted Silica”

Nicolas Grandjean, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland “Nanostructures based on GaN".

Martin Kuball, University of Bristol , UK "High spatial resolution micro-Raman thermal mapping of GaN-based electronic devices and their defects"

Manuel J. Romero, National Renewable Energy Laboratory, USA “Nanoprobes for future generation of photovoltaics”

Paul Sellin, University of Surrey, UK

"Ion Beam Induced Charge imaging for the characterisation of wide band gap semiconductors"

Sergei Zaitsev, IPMT RAS, Chernoglovka, Russia “Random losses approach and Monte-Carlo simulation of fast electron interaction with solids”

Alexander Latyshev, Institute of Semiconductor Physics RAS, Novosibirsk, Russia “Formation and diagnostic of surface nanostructures by in situ reflection electron microscopy and atomic force microscopy”

Труды

Будут опубликованы в журнале “Физика и Техника полупроводников”

Труды принимаются только на английском языке

Рукописи предоставляются с полями 3х3х3х3 см, с интервалом 2, шрифт “Times New Roman”, размеров 12 pt.
Для приглашённых докладчиков: 10-12 страниц + 5-6 рисунков

Для остальных 8 страниц + 3÷4 рисунка

Остальные правила оформления трудов можно узнать по адресу: http://www.ioffe.ru/journals/misc/praut-sc.pdf

Важные даты

Председатель конференции

С.Г. Конников,ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
konnikov@mail.ioffe.ru

Председатель программного комитета конференции

Е. Якимов, Инст. Микроэлектроники, Черноголовка, Россия
yakimov@ipmt-hpm.ac.ru

Контакты

Физико-Технический институт им. А. Ф. Иоффе, РАН
Политехническая, д. 26
Санкт-Петербург, 194021
Россия

тел.: +7 (812) 247-93-82
факс: +7 (812) 247-10-17

Для вопросов и предложений e-mail:
biams06@gmail.com